耿氏效應 什么是耿氏效应_百度知道,光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较,基于耿氏效应的太赫兹器件的研究进展-太赫兹科学与电子信息学报,氮化镓耿氏二极管最高工作频率计算,甘恩二極體,甘恩二極體-維基百科,甘恩二極體-維基百科，自由的百科全書-Wikipedia,耿[氏]效應振盪器_百度百科,耿式器件,耿氏二极管-抖音百科,耿氏二极管-维基百科，自由的百科全书,耿氏二极管-维基百科，自由的百科全书-KFD.ME,耿氏二极管_百度百科,耿氏二極管,耿氏二極管-維基百科，自由的百科全書,耿氏二極管-維基百科，自由的百科全書-Wikipedia,耿氏二極管GunnDi...
摘要：介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究，详细地阐述耿氏二级管的原理、工. 艺流程、关键技术的解决和耿氏二极管频率和功率的提高等。重点介绍耿氏 ...
此为半导体物理学中的概念。耿氏效应:n型砷化镓两端电极上加以电压.当电压高到某一值时,半导体电流便以很高频率振荡,这个效应称为耿氏效应.
由王馨梅著作·2008·被引用2次—电流便以很高的频率振荡，这个效应被称为耿氏效应，.这种狀型器件被称为耿氏器件，器件内电荷聚集所形成.的畴称为耿氏畴．耿氏效应的本质是发生了能谷间电子.转移 ...
2018年12月6日—在耿氏效应中，材料中的载流子必须积累到一定的能量，才能从其主能谷跃迁到其卫星能谷中。如果是通过外加电场给载流子提供能量，那么载流子就必须通过 ...
這意味著甘恩二極體具有負阻（Negativeresistance）效應，或稱負微分電阻（Negativedifferentialresistance）。「甘恩二極體」的各地常用別名.中國大陸,耿氏二極管.
這意味著甘恩二極體具有負阻（Negativeresistance）效應，或稱負微分電阻（Negativedifferentialresistance）。「甘恩二極體」的各地常用名稱.中國大陸,耿氏二極管.
甘恩二極體、剛氏二極體（英語：Gunndiode，中國大陸作耿氏二極管，香港作耿氏二極體），...這意味著甘恩二極體具有負阻（Negativeresistance）效應，或稱負微分 ...
耿[氏]效應振盪器（Gunneffectoscillator）是1993年公佈的電子學名詞。
产品简介.耿氏效应（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时，便产生微波 ...
这意味着耿氏二极管具有负阻（Negativeresistance）效应，或称负微分电阻（Negativedifferentialresistance）。工作原理.利用负微分电阻性质与中间层的时间特性，可以 ...
耿氏二极管（英語：Gunndiode，香港作耿氏二極體，台湾作甘恩二極體、剛氏二極體），或称转移电子器件（transferredelectrondevice,TED）是一种在高频率电子学中 ...
耿氏二极管的电压-电流示意曲线，图中曲线的下降部分显示了其负阻效应。耿氏二极管（英语：Gunndiode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或 ...
耿氏二极管（英语：Gunndiode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或称...这意味着耿氏二极管具有负阻（Negativeresistance）效应，或称负微分 ...
在效果上，耿氏二極管中的負微分電阻會抵消的部分真實存在的正阻值，這樣就可以使電路等效成一個「零電阻」的電路，從而獲得無窮振盪。振盪頻率部分取決於耿氏二極管的中間 ...
當電壓施加在耿氏二極管的兩端時，中央薄層處的電梯度（electricalgradients，類似電化學梯度）最大。由於在導體材料中，電流與電壓成正比，導電性將會產生。最終，中央薄 ...
最終，中央薄層處會產生較高的電場值，從而得到較高的電阻，阻止導電性的進一步增加，電流會開始下降。這意味着耿氏二極管具有負阻（Negativeresistance）效應， ...
砷化鎵耿氏二極管的頻率高達200GHz，而氮化鎵材料的頻率高達3太赫茲。歷史.耿氏二極管基於耿氏效應，兩者均以物理學家J.B.Gunn的名字命名。1962年，在IBM，他 ...
耿氏二極體的理論基礎是耿氏效應（Gunneffect），兩個命名中「耿氏」都是來自於IBM物理學家J.B.耿氏（英語：J.B.Gunn），他在1962年發現了這一效應。當時他反對將實驗 ...
耿氏二極體的電壓-電流示意曲線，圖中曲線的下降部分顯示了其負阻效應。耿氏二極體（英語：Gunndiode，中國大陸作耿氏二極管，香港作耿氏二極體 ...
耿氏效应（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时，便产生微波振荡。
n型砷化镓两端电极上加以电压。当电压高到某一值时，半导体电流便以很高频率振荡，这个效应称为耿氏效应。
耿氏效应（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时，便产生微波振荡 ...
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應(Gunneffect)是1963年，由耿氏(J.B.Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應掐.new.耿氏效應掐的英文翻譯.基本釋義.gunneffectdevice.耿氏效應掐的相關資料：.臨近單詞.耿耿介.單詞耿氏效應掐的詞典定義。@海詞詞典-最好的學習型 ...
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。